понедельник, 28 апреля 2014 г.

Test Example


1) Какой разрез структуры, изображённый ниже, - правильный (обвести букву)?
What section of the following structure is correct?
a)
b)
с)
d)



2) Что представляет собой обозначенная знаком "?" область транзистора, изображённого на рисунке:
What is the transistor's area marked by "?" sign?
a) контакт к истоку/стоку
source/drain contact

b) контакт к телу
body contact

c) канал
channel

d) контакт к затвору
gate contact


3) Какой вариант топологии транзисторов содержит принципиальную ошибку?
What transistor's layout contains a principal mistake?
a)

b)
c)
d)
4)Можно ли использовать H-транзисторы в объёмной КМОП технологии с двумя карманами?
Is it possible to use H-type transistors in a bulk CMOS technology with two types of well (N and P)?

a) можно без ограничений: как n-, так и p-канальные транзисторы
possible, without limitations: NMOS as well as PMOS

b) можно с ограничениями: нужно следить, чтобы в одном кармане не оказались транзисторы с различным подключением контактов к карману
possible with limitations: a designer must take care about placing transistors with different body potentials in different wells

c) можно, но только если длина канала достаточно велика
possible only if the channel width is large enough

d) нельзя
impossible 

5) Для чего нужна "промежуточная" часть охранного кольца между 2-мя p-канальными транзисторами (вверху рисунка)?
What is the "intermediate" part (between two PMOSFETs) of guard ring for?



a) защита от боковой утечки
protection from the edge leakage

b) защита от донной утечки
protection from the bottom leakage

c) защита от межтранзисторной утечки
protection from the inter-transistor leakage

d) "промежуточная" часть не нужна
it is useless 

6) К чему должна быть подключена подложка транзисторов в обратной связи?
What potential must the "bulk" pin of the feedback transistors be connected to?
a) VDD

b) GND

c) к истоку
source

d) к затвору
gate 

7) Недостатком метода дублирования является:
A disadvantage of dual modular redundancy is:

a) значительное усложнение межсоединений
significantly complicated interconnections

b) значительное уменьшение быстродействия
significant decrease of speed

c) невозможность исправлять ошибку (только детектирование)
no error correction (only detection)

d) малое энергопотребление
low power consumption

8) Уменьшение проектных норм неблагоприятно сказывается на:
Scaling affects adversely on:

a) стойкости к тиристорному эффекту
SEL hardness

b) стойкости к дозовым эффектам
TID hardness

c) сбоеустойчивости
fault-tolerance

d) нет правильного ответа
no correct answer

9) Пространственное разнесение битов одного логического слова служит для уменьшения вероятности:
Spatial separation of bits from one logic word is to decrease the probability of:

a) SMU

b) SBU

c) MCU

d) SEU 

10) Наибольший поток частиц СКЛ на околоземной орбите возникает:
The largest flux of SCR at a near-Earth orbit occurs:

a) в солнечном максимуме
in solar maximum

b)  в солнечном минимуме
 in solar minimum

c) при максимальном сближении Земли с Солнцем
when the distance between Earth and Sun is minimal

d) в радиационных поясах Земли
in Van Allen belts

11) Вероятность сбоя от ТЗЧ в общем случае выше, чем от протона, из-за:
In general, the probability of upset due to a heavy ion strike is higher than for a proton strike, because:

a) большей энергии ТЗЧ
the energy of the heavy ion is higher

b) большего количества ТЗЧ в космическом пространстве
there is a large amount of heavy ions in space

c) большей ЛПЭ
LET of the heavy ion is higher

d) большей вероятности ядерной реакции
the probability of nuclear reaction is higher

12) Англоязычный аналог термина ЕРПЗ:
English equivalent of "ЕРПЗ" term is

a) Single Event Effects

b) SRAM

c) GCR

d) Van Allen belts

Комментариев нет:

Отправить комментарий