понедельник, 28 апреля 2014 г.

Test Example


1) Какой разрез структуры, изображённый ниже, - правильный (обвести букву)?
What section of the following structure is correct?
a)
b)
с)
d)


пятница, 25 апреля 2014 г.

Plan of the Course


NOTE: References lead to illustrative materials for the unit.


Units
Topics
1
Introduction. Types of impact. Classification of catastrophic and non-catastrophic failures (hard and soft errors). Materials
2
Physical mechanisms leading to TID in a bulk and SOI MOSFET. TID modelling in a standard VLSI design roadmap.
3
Physical processes in a bulk and SOI MOSFET during a strike of single charged particle. Linear Energy Transfer (LET), error cross-section, fluence, flux. Estimation of saturation cross-section using layout features.
4
The sources of upsets and catastrophic failures in space. Space weather. Natural and artificial radiation belts (Van Allen belts). Classification of spacecraft orbits. Materials
5
Single Event Effects modelling in a standard VLSI design roadmap. The synergy between SEE and TID in CMOS SRAM.
6
TID and SEE in perspective nano-scale double-gate transistors, FinFETs.
7
Hardness assurance. Modeling and imitation tools.
8
Radiation Hardening-by-Process and by-Design methods for TID effects.
9
Radiation Hardening-by-Process and by-Design methods for catastrophic SEE.
10
Architecture and design methods for soft radiation effects.
11
Layout and process-based methods for soft radiation effects.
12
Silicon-on-Insulator technology. Special methods for TID and SEE.
13
Error Correction Codes (ECC).
14
The influence of scaling to SEE and TID sensitivity


понедельник, 21 апреля 2014 г.

Recommended References

There are some recommended references in Russian and in English:



Main:



4) Чумаков А.И.. Действия космической радиации на интегральные схемы. М.: "Радио и связь", 2004 – 319 с.





Additional:

1) Першенков В.С., Скоробогатов П.К., Улимов В.Н. Дозовые эффекты в изделиях современной микроэлектроники: Учебное пособие. М.: НИЯУ МИФИ, 2011. – 172 с.

2) Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. – М.: Радио и связь, 1994. – 164 с.

3) Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем М.: Энергоатомиздат, 1988.


5) Попов В.Д., Белова Г.Ф. Физические основы проектирования кремниевых цифровых интегральных микросхем в монолитном и гибридном исполнении: Учебное пособие. – СПб.: Издательство «Лань», 2013. – 208 с.


Online programs and useful web-sites:

понедельник, 24 февраля 2014 г.